Číslo produktu výrobce:
FDJ128N
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDJ128N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 FLMP
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
Inventář:
12847088
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDJ128N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
543 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC75-6 FLMP
Balení / pouzdro
SC-75-6 FLMP
Základní číslo výrobku
FDJ128
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDJ128N_NLTR-DG
FDJ128NTR-NDR
FDJ128N_NLCT-DG
FDJ128NCT
FDJ128N_NLCT
FDJ128NTR
FDJ128N_NL
FDJ128NCT-NDR
FDJ128NDKR
FDJ128N_NLTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS0312S
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
FDMC86139P
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FQB6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK