FDMA410NZ

Číslo produktu výrobce:

FDMA410NZ

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMA410NZ-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Podrobný popis:

N-Channel 20 V 9.5A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Inventář:

44981 Ks Nový Originál Skladem

12846615

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDMA410NZ Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

20 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

9.5A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

1.5V, 4.5V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

23mOhm @ 9.5A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±8V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1080 pF @ 10 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.4W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

6-MicroFET (2x2)

Balení / pouzdro

6-WDFN Exposed Pad

Základní číslo výrobku

FDMA410

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

FDMA410NZDKR

FDMA410NZCT

FDMA410NZTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FDB6670AS

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

infineon-technologies

AUIRFB3806

MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB

onsemi

FQA30N40

MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN

alpha-and-omega-semiconductor

AOT4S60L

MOSFET N-CH 600V 4A TO220