FDMA410NZ
Číslo produktu výrobce:

FDMA410NZ

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMA410NZ-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 9.5A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Inventář:

44981 Ks Nový Originál Skladem
12846615
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMA410NZ Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
23mOhm @ 9.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.4W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
6-MicroFET (2x2)
Balení / pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
FDMA410

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMA410NZDKR
FDMA410NZCT
FDMA410NZTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDB6670AS

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

infineon-technologies

AUIRFB3806

MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB

onsemi

FQA30N40

MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN

alpha-and-omega-semiconductor

AOT4S60L

MOSFET N-CH 600V 4A TO220