FDMA410NZT
Číslo produktu výrobce:

FDMA410NZT

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMA410NZT-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 9.5A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2.05x2.05)

Inventář:

23878 Ks Nový Originál Skladem
12850284
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMA410NZT Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
23mOhm @ 9.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1310 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.4W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
6-UDFN (2.05x2.05)
Balení / pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
FDMA410

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMA410NZTOSCT
FDMA410NZTOSTR
FDMA410NZTOSDKR
FDMA410NZT-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

HUF75637S3_NR4895

MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOD454AL

MOSFET N-CH 40V 12A TO252

onsemi

FDP20AN06A0

MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO220-3

onsemi

FQA90N15-F109

MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN