FDMC86183
Číslo produktu výrobce:

FDMC86183

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMC86183-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Inventář:

13211 Ks Nový Originál Skladem
12846750
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMC86183 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
47A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1515 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
52W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Balení / pouzdro
8-PowerWDFN
Základní číslo výrobku
FDMC86

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMC86183-DG
FDMC86183OSDKR
FDMC86183OSCT
FDMC86183OSTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDU8580

MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

onsemi

FQD12N20LTM-F085

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

onsemi

FQP3N90

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3

onsemi

FDMC7692

MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP