Číslo produktu výrobce:
FDMD82100
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMD82100-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Inventář:
12839650
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMD82100 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
19mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1070pF @ 50V
Výkon - Max
1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
12-PowerWDFN
Balíček zařízení dodavatele
12-Power3.3x5
Základní číslo výrobku
FDMD82
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMD82100DKR
ONSONSFDMD82100
2156-FDMD82100-OS
FDMD82100TR
FDMD82100CT
2832-FDMD82100TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDS89161
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
22674
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDS89161-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.60
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
FDG1024NZ
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
FDS8947A
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
FDPC3D5N025X9D
MOSFET 2N-CH 25V 74A 12QFN
