Číslo produktu výrobce:
FDMD8900
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMD8900-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Inventář:
12836397
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
2k6F
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMD8900 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
19A, 17A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2605pF @ 15V
Výkon - Max
2.1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
12-PowerWDFN
Balíček zařízení dodavatele
12-Power3.3x5
Základní číslo výrobku
FDMD89
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ECH8655R-R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
FDME1024NZT
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
FDMC007N30D
MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
