Číslo produktu výrobce:
FDME410NZT
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDME410NZT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 7A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Inventář:
12835949
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDME410NZT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
26mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1025 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Balení / pouzdro
6-PowerUFDFN
Základní číslo výrobku
FDME41
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
FDME410NZTTR
FDME410NZTCT
FDME410NZTDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDC637AN
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
12361
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDC637AN-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.25
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PMPB15XN,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMPB15XN,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.10
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FDME820NZT
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9500
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDME820NZT-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.36
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AUIRF2805S
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
FCB11N60TM
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
FDD4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
