FDME910PZT

Číslo produktu výrobce:

FDME910PZT

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDME910PZT-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET

Podrobný popis:

P-Channel 20 V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin

Inventář:

Poptejte online

12838944

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDME910PZT Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

-

Řada

PowerTrench®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

20 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

8A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

1.8V, 4.5V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

24mOhm @ 8A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.5V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

21 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±8V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2110 pF @ 10 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.1W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

MicroFet 1.6x1.6 Thin

Balení / pouzdro

6-PowerUFDFN

Základní číslo výrobku

FDME910

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

5,000

Další jména

FDME910PZTCT

FDME910PZTDKR

FDME910PZTTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FDMC86102LZ

MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP

onsemi

FDP025N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

onsemi

FDP3682

MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3

onsemi

FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3