Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDMS0310S
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMS0310S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventář:
Poptejte online
12839190
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMS0310S Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
PowerTrench®, SyncFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
19A (Ta), 42A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2820 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 46W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS0310
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FDMS0310S
Technické listy
FDMS0310S
HTML Datový list
FDMS0310S-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS0310SCT
ONSONSFDMS0310S
FDMS0310STR
FDMS0310SDKR
2832-FDMS0310STR
2156-FDMS0310S-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RS1E200GNTB
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2460
DiGi ČÍSLO DÍLU
RS1E200GNTB-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RS1E180BNTB
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2018
DiGi ČÍSLO DÍLU
RS1E180BNTB-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.17
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSC0503NSIATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4607
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSC0503NSIATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.42
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RS1E200BNTB
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
RS1E200BNTB-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.25
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FCP9N60N
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
FDFMA2P853T
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
HUFA75337S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDPF8N50NZT
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F