Číslo produktu výrobce:
FDMS1D4N03S
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMS1D4N03S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventář:
12846493
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMS1D4N03S Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
PowerTrench®, SyncFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
211A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.09mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10250 pF @ 15 V
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Ztrátový výkon (max.)
74W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS1D4
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS1D4N03SCT
FDMS1D4N03SDKR
2156-FDMS1D4N03STR
2832-FDMS1D4N03STR
FDMS1D4N03STR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
CSD17559Q5
VÝROBCE
Texas Instruments
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1524
DiGi ČÍSLO DÍLU
CSD17559Q5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.04
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AOB411L
MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263
BMS4007
MOSFET N-CH 75V 60A TO220ML
FQPF12N60C
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
