Číslo produktu výrobce:
FDMS3606AS
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMS3606AS-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
Inventář:
12847578
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMS3606AS Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A, 27A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1695pF @ 15V
Výkon - Max
1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Balíček zařízení dodavatele
Power56
Základní číslo výrobku
FDMS3606
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-FDMS3606ASTR
FDMS3606ASTR
FDMS3606AS-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDG6332C-F085P
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
BSL314PEH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP6-6
FDS9933
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
