FDMS3606S
Číslo produktu výrobce:

FDMS3606S

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS3606S-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56

Inventář:

2978 Ks Nový Originál Skladem
12837107
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMS3606S Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Last Time Buy
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A, 27A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1785pF @ 15V
Výkon - Max
1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Balíček zařízení dodavatele
Power56
Základní číslo výrobku
FDMS3606

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
FDMS3606S
Technické listy
FDMS3606S
HTML Datový list
FDMS3606S-DG

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS3606SCT
FDMS3606STR
FDMS3606SDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
onsemi

ECH8660-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH

onsemi

FDG6322C

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88

onsemi

FDC6036P_F077

MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6

onsemi

FDS8934A

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC