FDMS5672

Číslo produktu výrobce:

FDMS5672

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS5672-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 10.6A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56

Inventář:

5479 Ks Nový Originál Skladem

12839130

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDMS5672 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

UltraFET™

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

60 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

10.6A (Ta), 22A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

6V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

11.5mOhm @ 10.6A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

45 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2800 pF @ 30 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.5W (Ta), 78W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

8-MLP (5x6), Power56

Balení / pouzdro

8-PowerWDFN

Základní číslo výrobku

FDMS56

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

FDMS5672CT

FDMS5672TR

FDMS5672DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FDMC86520L

MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP

onsemi

FDB14AN06LA0-F085

MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

onsemi

HUFA76429D3

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

onsemi

FCP104N60

MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3