FDMS6673BZ

Číslo produktu výrobce:

FDMS6673BZ

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS6673BZ-DG

Popis:

MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN

Podrobný popis:

P-Channel 30 V 15.2A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventář:

11440 Ks Nový Originál Skladem

12848750

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDMS6673BZ Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

30 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

15.2A (Ta), 28A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

6.8mOhm @ 15.2A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

130 nC @ 10 V

VGS (Max)

±25V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

5915 pF @ 15 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.5W (Ta), 73W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

8-PQFN (5x6)

Balení / pouzdro

8-PowerTDFN

Základní číslo výrobku

FDMS6673

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

FDMS6673BZTR

FDMS6673BZDKR

2832-FDMS6673BZTR

FDMS6673BZCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

MTD6N15T4

MOSFET N-CH 150V 6A DPAK

onsemi

NTB125N02RT4G

MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK

onsemi

BSS123L

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF7T60PL

MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F