FDMS8558S
Číslo produktu výrobce:

FDMS8558S

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS8558S-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 90A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventář:

12837753
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMS8558S Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®, SyncFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
33A (Ta), 90A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5118 pF @ 13 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS85

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS8558SCT
FDMS8558S-DG
FDMS8558STR
FDMS8558SDKR
2832-FDMS8558S-488

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
CSD16401Q5T
VÝROBCE
Texas Instruments
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
602
DiGi ČÍSLO DÍLU
CSD16401Q5T-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.28
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
CSD16401Q5
VÝROBCE
Texas Instruments
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5449
DiGi ČÍSLO DÍLU
CSD16401Q5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.02
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSC018NE2LSIATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9750
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSC018NE2LSIATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.50
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSC014NE2LSIATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
18735
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSC014NE2LSIATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.57
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSZ018NE2LSATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9111
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSZ018NE2LSATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.56
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

BSS159N E6906

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

onsemi

FQB4N80TM

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

onsemi

ECH8315-TL-H

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH

onsemi

FDP5N50

MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3