FDMS86101

Číslo produktu výrobce:

FDMS86101

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS86101-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 12.4A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventář:

3728 Ks Nový Originál Skladem

12847597

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDMS86101 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

100 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

12.4A (Ta), 60A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

6V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

8mOhm @ 13A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

55 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

3000 pF @ 50 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

8-PQFN (5x6)

Balení / pouzdro

8-PowerTDFN

Základní číslo výrobku

FDMS86

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

FDMS86101TR

FDMS86101CT

2832-FDMS86101TR

FDMS86101DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FQPF17N40

MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F

onsemi

FCH104N60F-F085

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

onsemi

FDMS5352

MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN

onsemi

MCH6321-TL-E

MOSFET P-CH 20V 4A 6MCPH