Číslo produktu výrobce:
FDMS86101DC
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMS86101DC-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 14.5A (Ta), 60A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventář:
5806 Ks Nový Originál Skladem
12838087
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMS86101DC Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
Dual Cool™, PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14.5A (Ta), 60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.5mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3135 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.2W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS86101
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2156-FDMS86101DC
FDMS86101DCCT
FDMS86101DC-DG
FDMS86101DCDKR
FDMS86101DCTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDD6N50TM-F085
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
FQB30N06LTM
MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
FDB16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
