FDMS86181
Číslo produktu výrobce:

FDMS86181

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS86181-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 44A (Ta), 124A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventář:

5232 Ks Nový Originál Skladem
12923400
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
iCTC
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMS86181 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
44A (Ta), 124A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.2mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4125 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS86

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-FDMS86181TR
ONSONSFDMS86181
FDMS86181DKR
FDMS86181TR
FDMS86181CT
2156-FDMS86181-OS
FDMS86181-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microsemi

JANTXV2N6796

MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF

onsemi

FQP3N30

MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3

microsemi

JANTXV2N7228

MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA

microsemi

JAN2N6798

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39