FDMS86200

Číslo produktu výrobce:

FDMS86200

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS86200-DG

Popis:

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

Podrobný popis:

N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventář:

21294 Ks Nový Originál Skladem

12847284

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDMS86200 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

150 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

9.6A (Ta), 35A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

6V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

18mOhm @ 9.6A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

46 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2715 pF @ 75 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

8-PQFN (5x6)

Balení / pouzdro

8-PowerTDFN

Základní číslo výrobku

FDMS86

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

2156-FDMS86200-488

FDMS86200DKR

2832-FDMS86200-488

FDMS86200TR

FDMS86200CT

2832-FDMS86200TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

NVMFS5A140PLZWFT1G

MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN

FDC655BN

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

onsemi

FDD18N20LZ

MOSFET N-CH 200V 16A DPAK

onsemi

FDR4420A

MOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8