FDMS86320
Číslo produktu výrobce:

FDMS86320

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS86320-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 10.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventář:

6783 Ks Nový Originál Skladem
12838242
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMS86320 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.5A (Ta), 22A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
8V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11.7mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2640 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS86

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS86320DKR
FDMS86320TR
FDMS86320CT
FDMS86320-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDC30N20DZ

MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6

onsemi

FQB34N20TM-AM002

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

onsemi

FQPF5N50

MOSFET N-CH 500V 3A TO220F

onsemi

FDD20AN06A0

MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA