Číslo produktu výrobce:
FDMS86320
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMS86320-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 10.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventář:
6783 Ks Nový Originál Skladem
12838242
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMS86320 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.5A (Ta), 22A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
8V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11.7mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2640 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS86
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS86320DKR
FDMS86320TR
FDMS86320CT
FDMS86320-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDC30N20DZ
MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6
FQB34N20TM-AM002
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
FQPF5N50
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
