Číslo produktu výrobce:
FDMS86350ET80
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMS86350ET80-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventář:
19489 Ks Nový Originál Skladem
12847722
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMS86350ET80 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Ta), 198A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
8V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8030 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.3W (Ta), 187W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS86350
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS86350ET80TR
FDMS86350ET80DKR
2156-FDMS86350ET80-OS
FDMS86350ET80CT
ONSONSFDMS86350ET80
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDN336P-NL
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
FDWS9510L-F085
MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN
