FDMS86520L

Číslo produktu výrobce:

FDMS86520L

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS86520L-DG

Popis:

MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventář:

4770 Ks Nový Originál Skladem

12846444

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDMS86520L Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

60 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

13.5A (Ta), 22A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

8.2mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

63 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

4615 pF @ 30 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

8-PQFN (5x6)

Balení / pouzdro

8-PowerTDFN

Základní číslo výrobku

FDMS86520

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

FDMS86520LFSTR

FDMS86520L-DG

FDMS86520LFSDKR

FDMS86520LFSCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FDP150N10

MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3

onsemi

IRF740B

MOSFET N-CH 400V 10A TO220-3

onsemi

FCPF600N60Z

MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F

onsemi

FDN304P

MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3