FDMS86520L
Číslo produktu výrobce:

FDMS86520L

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS86520L-DG

Popis:

MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventář:

4770 Ks Nový Originál Skladem
12846444
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMS86520L Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13.5A (Ta), 22A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.2mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4615 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS86520

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS86520LFSTR
FDMS86520L-DG
FDMS86520LFSDKR
FDMS86520LFSCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDP150N10

MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3

onsemi

IRF740B

MOSFET N-CH 400V 10A TO220-3

onsemi

FCPF600N60Z

MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F

onsemi

FDN304P

MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3