FDN306P
Číslo produktu výrobce:

FDN306P

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDN306P-DG

Popis:

MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventář:

43445 Ks Nový Originál Skladem
12850723
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDN306P Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
40mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1138 pF @ 6 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
FDN306

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDN306P_F095TR-DG
FDN306P_F095
FDN306P_F095CT-DG
FAIFSCFDN306P
FDN306PDKR
FDN306PCT
2156-FDN306P-OS
FDN306P_F095TR
FDN306P_F095DKR
FDN306PF095
FDN306PTR
FDN306P_F095CT
FDN306P_F095DKR-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDD9411-F085

MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

onsemi

FDPF79N15

MOSFET N-CH 150V 79A TO220F

onsemi

FCA16N60

MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

onsemi

FQPF18N50V2

MOSFET N-CH 500V 18A TO220F