Číslo produktu výrobce:
FDN339AN_G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDN339AN_G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
12837366
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDN339AN_G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
35mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
FDN339
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
DIGI Certifikace
Související produkty
FDPF10N50FT
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
FCH060N80-F155
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
HUF75329D3S
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA