Číslo produktu výrobce:
FDN8601
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDN8601-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 2.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
20024 Ks Nový Originál Skladem
12838623
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDN8601 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
109mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
FDN860
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDN8601DKR
ONSONSFDN8601
FDN8601TR
FDN8601-DG
2156-FDN8601-OS
2832-FDN8601TR
FDN8601CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQU1N60TU
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
FDS4480
MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
BSS84PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3