FDP027N08B
Číslo produktu výrobce:

FDP027N08B

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDP027N08B-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventář:

12851244
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDP027N08B Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13530 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
246W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FDP027

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
50

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
AOT280L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT280L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.88
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FDP027N08B-F102
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
740
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDP027N08B-F102-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.38
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

HUF75333S3ST

MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK

onsemi

FQPF17N40T

MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F

onsemi

FDI038AN06A0

MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK

rohm-semi

R6520ENJTL

MOSFET N-CH 650V 20A LPTS