FDP120N10
Číslo produktu výrobce:

FDP120N10

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDP120N10-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 74A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventář:

458 Ks Nový Originál Skladem
12848714
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDP120N10 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
74A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12mOhm @ 74A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5605 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
170W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FDP120

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
2156-FDP120N10-OS
ONSONSFDP120N10

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FQP44N10F

MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD2916

MOSFET N CH 100V 5.5A TO252

alpha-and-omega-semiconductor

AON7702

MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN

onsemi

NTD3808N-35G

MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK