Číslo produktu výrobce:
FDP18N20F
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDP18N20F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
12930621
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDP18N20F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
UniFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
145mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
100W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FDP18
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-FDP18N20F-488
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDPF18N20FT
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDPF18N20FT-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.60
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IRF640NPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
63317
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF640NPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.41
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
CPH6354-TL-W
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
NVTFS9D6P04M8L
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
UF3SC120016K3S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3