Číslo produktu výrobce:
FDP8D5N10C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDP8D5N10C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
785 Ks Nový Originál Skladem
12846924
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDP8D5N10C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
76A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.5mOhm @ 76A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 130µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2475 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.4W (Ta), 107W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FDP8D5
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-FDP8D5N10C-488
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQP47P06_SW82049
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
HUFA76409P3
MOSFET N-CH 60V 18A TO220-3
FCPF11N65
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
