Číslo produktu výrobce:
FDPF12N60NZ
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDPF12N60NZ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventář:
174 Ks Nový Originál Skladem
12846855
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDPF12N60NZ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
UniFET-II™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1676 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
39W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FDPF12
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
FDPF12N60NZ-DG
ONSONSFDPF12N60NZ
2156-FDPF12N60NZ-OS
488-FDPF12N60NZ
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
CPH6354-TL-H
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
FDG329N
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
FDS6688S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
