Číslo produktu výrobce:
FDS2170N7
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS2170N7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventář:
12848986
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS2170N7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
128mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SO FLMP
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Základní číslo výrobku
FDS21
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS2170N7CT-NDR
FDS2170N7_NLCT-DG
FDS2170N7_NLTR
FDS2170N7_NLTR-DG
FDS2170N7TR-NDR
FDS2170N7_NL
FDS2170N7_NLCT
FDS2170N7DKR
FDS2170N7CT
FDS2170N7TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDMS2672
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1825
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDMS2672-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.14
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMA905P
MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
AO6415
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
