Číslo produktu výrobce:
FDS2572
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS2572-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 4.9A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
19251 Ks Nový Originál Skladem
12848563
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS2572 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
UltraFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
47mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDS25
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS2572TR
FDS2572DKR
FDS2572CT
2156-FDS2572-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDD14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
NTTFS4943NTAG
MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
IPD053N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
