Číslo produktu výrobce:
FDS3890
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS3890-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 80V 4.7A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12848943
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS3890 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.7A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
44mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 40V
Výkon - Max
900mW
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Základní číslo výrobku
FDS38
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS3890CT
FDS3890DKR
FDS3890-DG
FDS3890TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF7380TRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7278
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF7380TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.39
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DMN6040SSD-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
12745
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN6040SSD-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.15
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFD5873NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
AO4862E
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
NDS9945
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
