FDS4465-G
Číslo produktu výrobce:

FDS4465-G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDS4465-G-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 13.5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

12997451
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDS4465-G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8237 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technický list a dokumenty

Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
2832-FDS4465-G-488
488-FDS4465-GTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
comchip-technology

CMS25N10D-HF

MOSFET P-CH 100V 25A DPAK

comchip-technology

CMS11N10Q8-HF

MOSFET N-CH 100V 11A 8SOP

renesas-electronics-america

RJL5014DPP-A0#T2

ABU / MOSFET HV

stmicroelectronics

STWA75N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7