FDS4935A
Číslo produktu výrobce:

FDS4935A

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDS4935A-DG

Popis:

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 7A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

33145 Ks Nový Originál Skladem
12837329
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
ki2f
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDS4935A Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1233pF @ 15V
Výkon - Max
900mW
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Základní číslo výrobku
FDS49

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
FDS4935A
Technické listy
FDS4935A
HTML Datový list
FDS4935A-DG

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS4935ACT
FDS4935ATR
FDS4935ADKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
onsemi

FDMJ1032C

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75

nexperia

BUK9K5R6-30EX

MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

onsemi

FDW2503N

MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP

onsemi

EFC4627R-TR

MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP