FDS5672
Číslo produktu výrobce:

FDS5672

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDS5672-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

5013 Ks Nový Originál Skladem
12851186
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
Iq1S
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDS5672 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDS56

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS5672-DG
FDS5672TR
2156-FDS5672-OS
FDS5672DKR
FAIFSCFDS5672
FDS5672CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

HUFA76633P3

MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3

onsemi

FDMC4435BZ

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

onsemi

FDS6673BZ-F085

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

onsemi

FDU8880

MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK