Číslo produktu výrobce:
FDS6162N7
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS6162N7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventář:
12849841
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS6162N7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
23A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5521 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SO FLMP
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Základní číslo výrobku
FDS61
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS6162N7CT
FDS6162N7TR-NDR
FDS6162N7TR
FDS6162N7DKR
FDS6162N7_NLTR
FDS6162N7_NLTR-DG
FDS6162N7_NLCT
FDS6162N7_NL
FDS6162N7_NLCT-DG
FDS6162N7CT-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
