Číslo produktu výrobce:
FDS6680S
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS6680S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12836743
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS6680S Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2010 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDS66
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF7413ZTRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2211
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF7413ZTRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.28
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF8714TRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
26446
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF8714TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.21
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
CPH3456-TL-W
MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH
FDMS8888
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
FDMC0310AS
MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP