Číslo produktu výrobce:
FDS6681Z
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS6681Z-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
19722 Ks Nový Originál Skladem
12838916
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS6681Z Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7540 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDS6681
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS6681Z-DG
2156-FDS6681Z-OS
FDS6681ZDKR
FDS6681ZCT
FDS6681ZTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AUIRFS6535
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
FQPF1N60
MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F
