FDS86242

Číslo produktu výrobce:

FDS86242

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDS86242-DG

Popis:

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Podrobný popis:

N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

27806 Ks Nový Originál Skladem

12836480

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDS86242 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

150 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

4.1A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

6V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

67mOhm @ 4.1A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

760 pF @ 75 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

8-SOIC

Balení / pouzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Základní číslo výrobku

FDS86

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

2,500

Další jména

FDS86242CT

2156-FDS86242TR

FDS86242TR

FDS86242DKR

2832-FDS86242TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FQI12N60TU

MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK

onsemi

3LN01C-TB-E

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

onsemi

FQP13N50C

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3

onsemi

2SK4089LS

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI