FDS8842NZ
Číslo produktu výrobce:

FDS8842NZ

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDS8842NZ-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 14.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

4300 Ks Nový Originál Skladem
12846581
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDS8842NZ Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14.9A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7mOhm @ 14.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3845 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDS8842

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS8842NZTR
FDS8842NZCT
FDS8842NZDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FQP10N20

MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3

onsemi

FDPF13N50FT

MOSFET N-CH 500V 12A TO220F

onsemi

CPH3360-TL-W

MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH

alpha-and-omega-semiconductor

AOB15S65L

MOSFET N-CH 650V 15A TO263