FDS8842NZ

Číslo produktu výrobce:

FDS8842NZ

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDS8842NZ-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC

Podrobný popis:

N-Channel 40 V 14.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

4300 Ks Nový Originál Skladem

12846581

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDS8842NZ Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

40 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

14.9A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

7mOhm @ 14.9A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

73 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

3845 pF @ 15 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.5W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

8-SOIC

Balení / pouzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Základní číslo výrobku

FDS8842

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

2,500

Další jména

FDS8842NZTR

FDS8842NZCT

FDS8842NZDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FQP10N20

MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3

onsemi

FDPF13N50FT

MOSFET N-CH 500V 12A TO220F

onsemi

CPH3360-TL-W

MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH

alpha-and-omega-semiconductor

AOB15S65L

MOSFET N-CH 650V 15A TO263