Číslo produktu výrobce:
FDS8858CZ
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS8858CZ-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 8.6A, 7.3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
18185 Ks Nový Originál Skladem
12848508
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS8858CZ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.6A, 7.3A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
17mOhm @ 8.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1205pF @ 15V
Výkon - Max
900mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Základní číslo výrobku
FDS8858
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS8858CZTR
FDS8858CZDKR
FDS8858CZCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AOC2804B
MOSFET 2N-CH 4DFN
FDS8984
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
AO4854L_102
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC