Číslo produktu výrobce:
FDS9933A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS9933A-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 3.8A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
4518 Ks Nový Originál Skladem
12840343
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS9933A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.8A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
75mOhm @ 3.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 10V
Výkon - Max
900mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Základní číslo výrobku
FDS99
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS9933A-DG
FDS9933ATR
FDS9933ADKR
FDS9933ACT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
EFC6605R-V-TR
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP
EMH2412-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 6A 8EMH
QJD1210011
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
