Číslo produktu výrobce:
FDT86113LZ
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDT86113LZ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventář:
43059 Ks Nový Originál Skladem
12849674
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDT86113LZ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
100mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-223-4
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
FDT86113
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
FDT86113LZDKR
FDT86113LZCT
FDT86113LZ-DG
FDT86113LZTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDP5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
FDC365P
MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6
FDWS5360L-F085
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
