Číslo produktu výrobce:
FDV303N
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDV303N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
86301 Ks Nový Originál Skladem
12850112
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDV303N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
680mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.7V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
350mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
FDV303
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDV303NCT
2156-FDV303N-OS
FDV303NCT-NDR
FDV303NDKR
FDV303NTR
ONSONSFDV303N
FDV303NTR-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF840B
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
FQD6N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
AOL1413
MOSFET P-CH 30V 38A ULTRASO-8