Číslo produktu výrobce:
FDW2520C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDW2520C-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 6A, 4.4A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
Inventář:
12921099
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDW2520C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A, 4.4A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1325pF @ 10V
Výkon - Max
600mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-TSSOP
Základní číslo výrobku
FDW25
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDW2520CCT
FDW2520CDKR
FDW2520CTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ZXMN3AM832TA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
SQ4937EY-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
SI8902AEDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6MICRO FOOT
