Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDY2000PZ
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDY2000PZ-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 350mA 446mW Surface Mount SOT-563F
Inventář:
Poptejte online
12848576
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDY2000PZ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Digi-Reel®
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
350mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
100pF @ 10V
Výkon - Max
446mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-563F
Základní číslo výrobku
FDY20
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FDY2000PZ
Technické listy
FDY2000PZ
HTML Datový list
FDY2000PZ-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-FDY2000PZTR
FDY2000PZ-DG
FDY2000PZCT
FDY2000PZDKR
FDY2000PZTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PMDT670UPE,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8459
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMDT670UPE,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SI1023X-T1-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6973
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI1023X-T1-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.11
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FDY1002PZ
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8497
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDY1002PZ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.15
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
EM6J1T2R
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
12037
DiGi ČÍSLO DÍLU
EM6J1T2R-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.11
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NTJD2152PT2G
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
FDM2509NZ
MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
AON2801
MOSFET 2P-CH 20V 3A 6DFN
FDMB2307NZ
MOSFET 2N-CH 6MLP