Číslo produktu výrobce:
FDZ298N
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDZ298N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)
Inventář:
12849562
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDZ298N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
27mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.7W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
9-BGA (1.5x1.6)
Balení / pouzdro
9-WFBGA
Základní číslo výrobku
FDZ29
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AO4411
MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
AOI9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
AOD407
MOSFET P-CH 60V 12A TO252
