Číslo produktu výrobce:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDZ3N513ZT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Inventář:
12838288
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDZ3N513ZT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
3.2V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
+5.5V, -0.3V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
85 pF @ 15 V
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Ztrátový výkon (max.)
1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
4-WLCSP (0.96x0.96)
Balení / pouzdro
4-UFBGA, WLCSP
Základní číslo výrobku
FDZ3N
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SI8808DB-T2-E1
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8727
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI8808DB-T2-E1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.11
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
