Číslo produktu výrobce:
FDZ663P
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDZ663P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)
Inventář:
12838532
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDZ663P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
134mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
525 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
4-WLCSP (0.8x0.8)
Balení / pouzdro
4-XFBGA, WLCSP
Základní číslo výrobku
FDZ66
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
FDZ663PCT
FDZ663PDKR
FDZ663PTR
FDZ663P-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
HUF75343G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
FQP30N06
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
FQB12P10TM
MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
